[发明专利]用于三明治结构MEMS硅电容压力传感器侧墙保护方法有效
| 申请号： | 201110003525.7 | 申请日： | 2011-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN102169038A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 朱健;贾世星;侯智昊;吴璟;黄镇 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | G01L9/12 | 分类号： | G01L9/12;B81C3/00 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于玻璃-硅-玻璃或硅-硅-玻璃三明治结构的MEMS电容式压力传感器侧墙保护方法，防止传感器在制作工艺过程中灰尘、水对电容间隙污染的工艺方法。其特征是在MEMS电容式压力传感器制作过程中，在导气孔前引入辅助侧墙，用于阻止在工艺过程中灰尘、水进入电容间隙，辅助侧墙与底层玻璃之间设置氮化硅薄膜，防止辅助侧墙与底层玻璃键合，使在芯片分离后，侧墙自动脱离芯片。优点：由于在导气孔前引入辅助侧墙，有效地阻止了在工艺过程中灰尘、水进入电容间隙，由于在辅助侧墙与底层玻璃之间设置氮化硅薄膜，防止辅助侧墙与底层玻璃键合，使在芯片分离后，侧墙自动脱离芯片。提高硅电容式压力传感器的可靠性和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 三明治 结构 mems 电容 压力传感器 保护 方法 | ||
【主权项】：
一种用于玻璃‑硅‑玻璃或硅‑硅‑玻璃三明治结构的MEMS电容式压力传感器侧墙保护方法，其特征是在玻璃‑硅‑玻璃或硅‑硅‑玻璃三明治结构的MEMS电容式压力传感器制作过程中，在导气孔前引入辅助侧墙，用于阻止灰尘、水进入电容间隙，辅助侧墙与底层玻璃之间设置氮化硅薄膜，防止辅助侧墙与底层玻璃键合，使在芯片分离后，侧墙自动脱离芯片。
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