[发明专利]锗悬浮膜式二维光子晶体微腔及制备方法有效
| 申请号： | 201110004002.4 | 申请日： | 2011-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN102590936A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 武爱民;魏星;薛忠营;杨志峰;甘甫烷;张苗;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13;G02B6/136 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种锗悬浮膜式二维光子晶体微腔，包括：具有埋氧层、且表层为锗悬浮膜层的半导体基底，其中，所述锗悬浮膜层包含光子晶体微腔，所述光子晶体微腔由周期性排列的孔体构成、但部分区域缺失孔体。此外，本发明还提供了该锗悬浮膜式二维光子晶体微腔的制备方法，即先在半导体基底的锗薄膜层中掺杂以形成n型重掺杂层，随后，对重掺杂层进行微机械加工以便在部分区域形成光子晶体微腔，最后，对整片器件进行湿法腐蚀，其中，可通过控制腐蚀时间以控制侧向腐蚀的程度，从而去除光子晶体微腔下的埋氧层实现悬浮膜。本发明的优点在于：能够通过调节悬浮的锗薄膜的应变从而实现锗向直接带隙的转变，并通过光子晶体微腔的增强作用实现发光效率的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 悬浮 二维 光子 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种锗悬浮膜式二维光子晶体微腔，其特征在于包括：具有埋氧层、且表层为锗悬浮膜层的半导体基底，其中，所述锗悬浮膜层包含有光子晶体微腔，所述光子晶体微腔由周期性排列的孔体所构成、但部分区域缺失孔体。
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