[发明专利]针对远红外探测器的谐振腔的制备方法无效
| 申请号： | 201110004393.X | 申请日： | 2011-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN102148287A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 邓国贵;张月蘅;沈文忠 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体探测器技术领域的针对远红外探测器的谐振腔的制备方法，通过确定同质结功函数内光发射远红外探测器及其结构和材料参数，优化底部反射镜参数，并根据优化后的底部反射镜参数优化顶部反射镜参数；用分子束外延生长谐振增强远红外探测器的主体结构和底部反射镜，用添加牺牲层的方法腐蚀出周期性金字塔结构并结合倒立安装的方法得到倒金字塔结构的顶部反射镜。本发明克服远红外探测器的量子效率普遍偏低的不足，极大的提高了该探测器的量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 针对 红外探测器 谐振腔 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种针对远红外探测器的谐振腔的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步、确定同质结功函数内光发射远红外探测器及其结构和材料参数，优化底部反射镜参数，并根据优化后的底部反射镜参数优化顶部反射镜参数；第二步、用分子束外延生长谐振增强远红外探测器的主体结构和底部反射镜，用添加牺牲层的方法腐蚀出周期性金字塔结构并结合倒立安装的方法得到倒金字塔结构的顶部反射镜，实现优化制备方法。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110004393.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
