[发明专利]肖特基接触型ZnO纳米阵列紫外光探测器件的制备方法

摘要

本发明提供了一种肖特基接触型ZnO纳米阵列紫外光探测器件的制备方法，具体工艺为：先在清洗干净的FTO导电玻璃上生长ZnO纳米阵列；接着，在生长优良的ZnO纳米阵列上旋涂PMMA光刻胶，使光刻胶渗透入阵列的间隙；然后进行前烘，使胶与阵列紧密粘连；前烘后进行氧等离子体刻蚀，刻蚀掉阵列端部的PMMA光刻胶，便于下一步的电极沉积；用真空镀膜机进行金属电极的沉积，厚度为50~100nm;退火处理一下使电极与ZnO纳米阵列更好地接触；最后，从Pt电极和FTO电极上引出铜导线就可以进行光电性能测试。本发明的优点在于：制备出的器件紫外光可以从背面照射，结构简单，成本低廉，性能稳定，为以后的实际应用提供了可能。

主权项

一种肖特基接触型ZnO纳米阵列紫外光探测器件的制备方法，其特征在于：步骤1.制备一维ZnO纳米阵列：首先在FTO透明导电玻璃上旋涂浓度为0.25~0.5 M的晶种液，接着放入电炉中350~400 ℃烧结30~60分钟，冷却后放入浓度为0.05 M的生长液中90~95 ℃生长20~24小时，得到长度为2~3 um排列整齐的一维ZnO纳米阵列，备用； 步骤2.构建器件：在上述步骤中制得的一维ZnO纳米阵列，以分配剂量为5~8 ml/1×2 cm2，旋涂速率为2500~3500 rpm，时间为40~60 s均匀旋涂PMMA光刻胶，旋涂后在150~200℃前烘1~3小时；其中，胶层厚度为500~1000 nm；用氧等离子体对一维ZnO纳米阵列顶端的光刻胶在气压为10 Pa，功率为50~100 W，O2流量为20~30 sccm，时间为30~60 s进行刻蚀，使一维ZnO纳米阵列顶端露出；其中，刻蚀的厚度为50~100 nm；通过真空镀膜机在电流为20~30 mA，真空度为8~9 Pa，时间为400~800 s下，在露出的一维ZnO纳米阵列顶端进行沉积金属Pt薄膜，沉积镀膜厚度为50~100 nm，形成Pt电极；然后在电炉中350~400 ℃退火30~60分钟；最后用导电银胶从Pt电极和FTO薄膜电极引出Cu导线，即得到肖特基接触型ZnO纳米阵列紫外光探测器件。