[发明专利]一种用于晶体硅太阳电池的复合钝化减反膜及制备方法

摘要

本发明公开了一种用于晶体硅太阳电池的复合钝化减反膜及制备方法，该复合钝化减反膜由依次置于晶体硅太阳电池迎光面发射极上的氧化硅层、非晶氧化铝层和非晶氮化硅层构成。该方法是采用PECVD工艺或ALD工艺在晶体硅太阳电池迎光面发射极上制备a-Al2O3层；采用退火工艺在发射极层和a-Al2O3层之间形成SiO2层；采用PECVD工艺在a-Al2O3层上制备a-Si-XNX层。本发明的优点是：a-Si1-XNX减反射膜减反射效果佳，a-Al2O3/SiO2复合钝化膜，起化学钝化和场钝化的双重效果，钝化效果优良；a-Si1-XNX/a-Al2O3/SiO2复合钝化减反射膜热稳定性好与后续电池制备工艺兼容；抗UV性能良好。

主权项

一种用于晶体硅太阳电池的复合钝化减反膜，其特征在于：该复合钝化减反膜由依次置于晶体硅太阳电池迎光面发射极层(1)上的SiO2层(2)、a‑Al2O3层(3)和a‑Si1‑XNX层(4)构成；所述的a‑Al2O3层(3)是通过等离子体增强化学气相沉积或ALD沉积直接制备在太阳电池迎光面发射极层(1)上，其厚度为5‑20nm；所述的SiO2层(2)是通过退火工艺形成在发射极层(1)和a‑Al2O3层(3)之间，其厚度为1.5‑3nm；所述的SiO2层(2)和a‑Al2O3层(3)为复合钝化层，起表面钝化和场钝化的作用；所述的a‑Si1‑XNX层(4)是减反膜，对入射光起减反射的作用，其厚度为60‑100nm，其中组分X＝0.5‑0.6。