[发明专利]装置和半导体元件的制作方法有效
| 申请号： | 201110006025.9 | 申请日： | 2011-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN102148252A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 陈建豪;李达元;许光源 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种装置和半导体元件的制作方法，该装置包括一半导体元件，半导体元件包括一基底。半导体元件也包括一具有第一材料和位于基底上方的第一栅极介电层，第一栅极介电层具有小于第一临界厚度的第一厚度，其中第一临界厚度是部分第一栅极介电层的第一材料会开始结晶化的厚度。半导体元件也包括一具有第二材料和位于第一栅极介电层上方的第二栅极介电层，第二栅极介电层具有小于第二临界厚度的第二厚度，其中第二临界厚度是部分第二栅极介电层的第二材料会开始结晶化的厚度，其中第二材料不同于第一材料。本发明可达成高的结晶温度，而不会增加全体的厚度，且不需要进行掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 半导体 元件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种装置，包括一半导体元件，该半导体元件包括：一基底；一第一栅极介电层，具有第一材料且位于该基底上方，该第一栅极介电层具有小于第一临界厚度的第一厚度，其中该第一临界厚度是部分该第一栅极介电层的第一材料会开始结晶化的厚度；及一第二栅极介电层，具有第二材料且位于该第一栅极介电层上方，该第二栅极介电层具有小于第二临界厚度的第二厚度，其中该第二临界厚度是部分该第二栅极介电层的第二材料会开始结晶化的厚度；其中该第二材料不同于该第一材料。
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