[发明专利]一种超疏水硅微纳复合结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201110006319.1 | 申请日： | 2011-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102167280A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 何洋;姜澄宇;张峰;尹恒许;陈俊;王圣坤;胡培军;苑伟政;田梦君 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 吕湘连 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超疏水硅微纳复合结构及其制备方法，属于纳米材料制备领域。该结构是由硅表面方柱阵列微米结构以及各微米结构上柱状纳米结构组成的微纳复合结构。该制备方法成本相对低廉，可以实现周期阵列硅微纳复合结构可控制备，并与微电子、微机电工艺兼容，为深入研究几何形貌对润湿性能的影响提供了有力的手段；该制备方法无需表面修饰，只是通过表面结构形貌改变就可获得超疏水性，为超疏水硅微纳复合结构表面在微机电系统等领域中的应用奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 疏水 硅微纳 复合 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超疏水硅微纳复合结构，其特征在于，一种超疏水硅微纳复合结构，硅表面有方柱阵列微米结构，各微米结构边长a满足10μm≤a≤40μm，高度h满足10μm≤h≤40μm，相邻两个微米结构横向间距b1满足10μm≤b1≤200μm，纵向间距b2满足10μm≤b2≤200μm；在各微米结构表面有柱状纳米结构。
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