[发明专利]GaN衬底和半导体器件无效
| 申请号： | 201110006321.9 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102148141A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 藤原伸介;樱田隆;木山诚;善积祐介 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;C30B25/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN衬底和半导体器件。该半导体器件能够以高成品率制造且具有优异特性。该半导体器件包括：GaN衬底(10)，该GaN衬底具有反向域(10t)聚集面积(Stcm2)与GaN衬底(10)的主面(10m)的总面积(Scm2)的比率St/S，该比率不大于0.5，在沿着作为GaN衬底(10)主面(10m)的(0001)Ga面的反向域(10t)的密度为Dcm-2，其中在[0001]方向上的极性相关于矩阵(10s)反向的情况下的所述反向域的表面面积为1μm2或更大；以及在GaN衬底(10)的主面10m上生长的至少单层半导体层(20)，其中半导体器件(40)的主面40m的面积Sc和反向域(10t)的密度D的乘积Sc×D小于2.3。 | ||
| 搜索关键词： | gan 衬底 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种GaN衬底，其具有反向域聚集面积Stcm2与GaN衬底主面的总共面积Scm2的比率St/S，该比率不大于0.5，在沿着作为所述GaN衬底主面的(0001)Ga面上，反向域的密度为Dcm‑2，其中在[0001]方向上的极性相关于矩阵反向的情况下的所述反向域的表面面积为1μm2或更大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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