[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法和具有该薄膜晶体管的显示设备有效
申请号: | 201110006612.8 | 申请日: | 2011-01-10 |
公开(公告)号: | CN102194886A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 卢成仁;朴志容;朴庆珉;朴真爽;姜声洲 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 罗正云;王琦 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种薄膜晶体管、其制造方法和具有该薄膜晶体管的显示设备。薄膜晶体管包括形成基板上的半导体层、形成在包括所述半导体层的基板上的栅极绝缘层、形成在所述半导体层上方的栅极绝缘层上的栅电极,连接到所述半导体层的源电极和漏电极,以及形成在与栅电极交叠的半导体层上的3.5至4.5个突起。可以通过调整突起的数目以最小化泄漏电流和缺陷来防止薄膜晶体管故障和显示设备的图像质量变差。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 制造 方法 具有 显示 设备 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管,包括:半导体层,形成在基板上;栅极绝缘层,形成在包括所述半导体层的基板上;栅电极,形成在所述半导体层上方的所述栅极绝缘层上;源电极和漏电极,连接到所述半导体层;以及3.5至4.5个突起,提供在与所述栅电极交叠的半导体层上。
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