[发明专利]一种粘接钕铁硼磁体涂覆方法及其制备得到的多层结构无效
| 申请号： | 201110007283.9 | 申请日： | 2011-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN102140666A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 周勇 | 申请（专利权）人： | 成都图南电子有限公司 |
| 主分类号： | C25D13/06 | 分类号： | C25D13/06;C23C14/12;B05D5/08;B05D7/14;B32B15/08;B32B27/08 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 梁田 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种粘接钕铁硼磁体涂覆方法及其制备得到的多层结构，所述方法包括如下步骤：首先，使用环氧涂料在粘接钕铁硼磁体表面涂覆形成环氧层；其次，在环氧层的表面涂覆聚对二甲苯聚合物层。该种涂覆方法不仅提高了粘接钕铁硼磁体的抗腐蚀能力；而且以同样的耐腐蚀性能衡量，可以降低涂层厚度，提高磁体的厚度，从而提升粘接钕铁硼磁体的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 粘接钕铁硼 磁体 方法 及其 制备 得到 多层 结构 | ||
【主权项】：
一种粘接钕铁硼磁体的涂覆方法，其特征在于，包括如下步骤：首先，使用环氧涂料在粘接钕铁硼磁体表面涂覆形成环氧层；其次，在环氧层的表面涂覆聚对二甲苯聚合物层。
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