[发明专利]氮化镓/硅纳米孔柱阵列异质结构黄绿光、近红外光发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201110008059.1 | 申请日： | 2011-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN102169932A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 李新建;韩昌报;贺川;王伶俐;常立红;王晓霞 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/24;H01L33/26;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 时立新 |
| 地址： | 450052*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓/硅纳米孔柱阵列异质结构黄绿光、近红外光发光二极管，包括上、下接触电极，还包括透明导电薄膜、氮化镓、p型硅纳米孔柱阵列、p型单晶硅层以及金属导电薄膜层，其中p型硅纳米孔柱阵列覆盖在p型单晶硅层顶面，氮化镓与p型硅纳米孔柱阵列形成异质结；透明导电薄膜沉积在n型氮化镓的表面，p型单晶硅层底部为金属导电薄膜层。本发明的黄绿光、近红外光二极管，具有较低的阈值电压和工作电压，它填补了长波光发射器件中没有氮化镓/硅异质结构发光二极管的空白，必将促进硅基氮化镓发光器件的进一步发展。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 纳米 阵列 结构 黄绿 红外光 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓/硅纳米孔柱阵列异质结构黄绿光、近红外光发光二极管，包括上、下接触电极，其特征在于：还包括透明导电薄膜、氮化镓、p型硅纳米孔柱阵列、p型单晶硅层以及金属导电薄膜层，其中p型硅纳米孔柱阵列覆盖在p型单晶硅层顶面，氮化镓与p型硅纳米孔柱阵列形成异质结；透明导电薄膜沉积在氮化镓的表面，金属导电薄膜层沉积在p型单晶硅层底面。
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