[发明专利]一种高掺杂磷硅玻璃薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110008499.7 | 申请日： | 2011-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN102592992A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 缪燕;彭仕敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;C23C16/44;C23C16/40 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高掺杂磷硅玻璃薄膜的制备方法，包括步骤：在硅衬底上形成栅氧化层、多晶硅栅极和侧墙；漏源注入及快速热退火；淀积SACVD PSG薄膜；淀积HDP PSG薄膜；刻蚀接触孔。该方法可以避免衬底硅因接触孔过刻蚀而受到损伤，且用该方法制备的PSG薄膜具有优良的填孔性能和易于刻蚀的膜质结构。在制备时，先用SACVD淀积工艺生长一层PSG薄膜，然后再用HDP CVD淀积工艺生长高掺杂PSG薄膜，利用SACVD PSG薄膜磷掺杂量均一的特点，提高HDP PSG薄膜花状外壳底部起始点的位置，增大接触孔选择性刻蚀的工艺窗口，从而避免了衬底硅因过刻蚀而受到损伤，有效地维护了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 玻璃 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高掺杂磷硅玻璃薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)利用现有工艺在硅衬底上形成栅氧化层、多晶硅栅极和侧墙；(2)做漏源注入及快速热退火，形成源、漏极；(3)采用亚常压化学气相淀积工艺，淀积一层磷硅玻璃薄膜；(4)采用高密度等离子体化学气相淀积工艺，再淀积一层磷硅玻璃薄膜；(5)采用自对准刻蚀工艺刻蚀出接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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