[发明专利]铥钬共掺铝酸钇钙激光晶体的生长方法无效
| 申请号： | 201110008857.4 | 申请日： | 2011-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN102051684A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 徐晓东;周大华;吴锋;狄聚青;李东振 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B15/00;C30B15/04 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种铥钬共掺铝酸钇钙激光晶体的生长方法，直接在CaYAlO4晶体基质中同时掺杂Tm3+，Ho3+稀土离子，采用提拉法生长出优质Tm/Ho:CaYAlO4激光晶体，实验表明本发明的方法是可行的，生长的晶体完整无开裂，无宏观缺陷，可用作激光介质。 | ||
| 搜索关键词： | 铥钬共掺铝酸钇钙 激光 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种铥钬共掺铝酸钇钙激光晶体的生长方法，其特征在于包括下列步骤：①采用中频感应加热提拉法生长Tm/Ho:CaYAlO4晶体，发热体为铱坩埚，该晶体的原料按照下列反应式的摩尔比称取：2CaCO3+(1‑x‑y)Y2O3+xHo2O3+yTm2O3+Al2O3＝2CaY(1‑x‑y)HoxTmyAlO4+2CO2其中x和y的取值范围为：0＜x≤0.008，0＜y≤0.12；②将所述的原料研混均匀后，在液压机下压紧成块，并在马弗炉中1200℃烧结10小时，发生固相反应，烧结好的块料装入铱坩埚并装入提拉单晶炉；③所述的单晶炉抽高真空，然后充入氮气气氛，生长温度1810℃，晶体提拉速度1‑2mm/h，旋转速度10‑20rpm；④将籽晶深入熔体，经晶体缩颈，放肩，等径生长，收尾阶段，将晶体从熔体中拉脱，然后缓慢降低提拉炉内温度至室温；。⑤停炉，打开保温罩，从提拉生长单晶炉内取出籽晶架，取出晶体，得到铥钬共掺铝酸钇钙激光晶体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海光学精密机械研究所，未经中国科学院上海光学精密机械研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110008857.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
