[发明专利]一种多量子阱结构及其制造方法、发光二极管无效
| 申请号： | 201110008896.4 | 申请日： | 2011-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN102122687A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;张汝京 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市临港*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多量子阱结构及其制造方法、以及包含所述多量子阱结构的发光二极管，所述多量子阱结构包括多个势垒层以及被势垒层隔开的多个有源层，有源层的能量带隙小于势垒层的能量带隙，并且，多个势垒层的能量带隙小于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层的能量带隙，多个有源层的能量带隙从两侧向中间逐渐减小，多个有源层的能量带隙均在1.59eV至3.17eV之间。本发明可有效地防止载流子逃逸，提高电子和空穴的复合机率，提高发光二极管的内量子效率；此外，所述发光二极管为白光LED，具有体积小、能耗少、响应快、寿命长、无污染的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多量 结构 及其 制造 方法 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种多量子阱结构，所述多量子阱结构设置于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间，所述多量子阱结构包括多个势垒层以及被势垒层隔开的多个有源层，所述有源层的能量带隙小于势垒层的能量带隙，并且，所述多个势垒层的能量带隙均小于所述第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层的能量带隙，所述多个有源层的能量带隙从两侧向中间逐渐减小，所述多个有源层的能量带隙均在1.59eV至3.17eV之间。
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