[发明专利]P型MOS存储单元有效
| 申请号： | 201110009103.0 | 申请日： | 2011-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN102122662A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 董耀旗;胡剑;李荣林;宗登刚;徐爱斌 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/788;H01L29/423;G11C16/04 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一种P型MOS存储单元包括：在衬底中依次布置的源极有源区、栅极有源区、以及漏极有源区；在从源极有源区至漏极有源区的方向上，在衬底上依次布置第一浮栅极、选择栅极、以及第二浮栅极；布置在第一浮栅极上的第一控制栅极；以及布置在第二浮栅极上的第二控制栅极。本发明通过调整P型M0S存储单元的结构，消除了干扰并减小了尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | mos 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种P型MOS存储单元，其特征在于包括：在衬底中依次布置的源极有源区、栅极有源区、以及漏极有源区；在从源极有源区至漏极有源区的方向上，在衬底上依次布置第一浮栅极、选择栅极、以及第二浮栅极；布置在第一浮栅极上的第一控制栅极；以及布置在第二浮栅极上的第二控制栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
