[发明专利]异质结双极晶体管的形成方法及其异质结双极晶体管有效
| 申请号： | 201110009114.9 | 申请日： | 2011-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN102110606A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 陈乐乐;孙涛 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/737;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种形成带抬高非本征基区的异质结双极晶体管的方法，包括如下步骤：在P型衬底上形成N+注入区以作为集电区；在所述衬底的表面形成异质外延层以作为本征基区；在所述本征基区上形成N+注入区域以作为发射区；在所述发射区的两侧形成多晶硅栅；在所述多晶硅栅上形成所述异质外延层以作为抬高的非本征基区。根据本发明的异质结双极晶体管形成方法中，在发射区两侧形成多晶硅栅，并且在所述多晶硅之上，以形成抬高的非本征基区。并且，采用CMOS制程中常规的栅极掩模在发射极两侧形成多晶硅栅，因此，根据本发明的异质结双极晶体管形成方法可与现有的BiCMOS制程兼容，并且不需要额外的掩模，结构简单，成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 双极晶体管 形成 方法 及其 | ||
【主权项】：
一种形成带抬高非本征基区的异质结双极晶体管的方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)在P型衬底上形成N+注入区以作为集电区；(b)在所述衬底的表面形成第一异质外延层以作为本征基区；(c)在所述本征基区上形成N+注入区域以作为发射区；(d)在所述发射区的两侧形成多晶硅栅；(e)在所述多晶硅栅上形成第二异质外延层以作为抬高的非本征基区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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