[发明专利]制造异质结双极晶体管的方法和异质结双极晶体管

摘要

本申请公开了一种形成异质结双极晶体管的方法，包括：在单晶硅衬底表面上沉积包括多晶硅层和牺牲层的第一叠层；对所述第一叠层图案化以形成延伸到所述衬底的沟槽；沉积硅层；沉积硅-锗-碳层；从所述沟槽的侧壁选择性地去除所述硅-锗-碳层；沉积掺硼的硅-锗-碳层；沉积另外的硅-锗-碳层；沉积掺硼的另外的硅层；在所述沟槽的侧壁上形成电介质间隔物；用发射极材料填充所述沟槽；通过选择性地去除所述第一叠层的牺牲层，暴露出所述沟槽侧壁外部的多晶硅区；将磞杂质注入到所暴露的多晶硅区中以限定基极注入物；以及将所得到的结构暴露到热预算，用于对磞杂质进行退火。还公开了一种通过这种方法形成的异质结双极晶体管。

主权项

一种形成异质结双极晶体管的方法，包括：在单晶硅衬底表面(10)上沉积包括多晶硅层(16)和牺牲层(18)的第一叠层；对所述第一叠层图案化以形成延伸到所述衬底的沟槽(22)；在所得到的结构上沉积硅层(24)；在所得到的结构上沉积硅‑锗‑碳层(26)；从所述沟槽(22)的侧壁选择性地去除所述硅‑锗‑碳层(26)；在所得到的结构上沉积掺硼的硅‑锗‑碳层(28)；在所得到的结构上沉积另外的硅‑锗‑碳层(30)；在所得到的结构上沉积掺硼的另外的硅层(32)；在所述沟槽(22)的侧壁上形成电介质间隔物(34)；用发射极材料(36)填充所述沟槽(22)；通过选择性地去除所述第一叠层的牺牲层(18)，暴露出所述沟槽侧壁外部的多晶硅区(16)；将磞杂质注入到所暴露的多晶硅区(16)中以限定基极注入物；以及将所得到的结构暴露到热预算，用于对磞杂质进行退火。