[发明专利]太赫兹表面等离子体波光学调制器及其调制方法无效

专利信息
申请号: 201110009521.X 申请日: 2011-01-18
公开(公告)号: CN102096269A 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 杨涛;何浩培;黄维;李兴鳌;仪明东 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: G02F1/355 分类号: G02F1/355;H04B10/155
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 许方
地址: 210016 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公布了一种太赫兹表面等离子体波光学调制器及其调制方法,所述调制器包括一个本征半导体晶片、两个平行放置的刀片或者光栅、连续波激光器和调制准直系统以及一个温度控制装置。所述方法采用连续波激光器和调制准直系统发出激光调制信号照射在本征半导体晶片从而改变该本征半导体晶片表面各处的光生载流子数量;通过改变激光调制信号的光强对本征半导体晶片表面所传输的太赫兹表面等离子体波进行调制;两个平行放置的刀片或光栅用于将太赫兹波耦合为太赫兹表面等离子体波以及将调制后的太赫兹表面等离子体波耦合为太赫兹波。本发明制作成本低、能量损耗小,调制频率范围宽,可以实现归零调制,可以实现快速调制。
搜索关键词: 赫兹 表面 等离子体 波光 调制器 及其 调制 方法
【主权项】:
一种太赫兹表面等离子体波光学调制器,其特征在于包括一个等离子体频率在接近常温时在太赫兹波段的本征半导体晶片(3)、两个平行放置的刀片(2)、连续波激光器和调制准直系统(5)以及一个温度控制装置(7);所述两个平行放置的刀片垂直于本征半导体晶片并刀口向下,刀口离本征半导体晶片上表面的距离小于最大频率的太赫兹表面等离子体波在空气中的衰减距离;连续波激光器和调制准直系统设置于两个刀片之间的本征半导体晶片上方;温度控制装置贴于本征半导体晶片的下表面。
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