[发明专利]底栅金属氧化物薄膜晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201110009722.X | 申请日： | 2011-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102157562A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 董承远;施俊斐 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/34 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体制造技术领域的底栅金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，通过依次制备栅电极、金属氧化物材料；然后在金属氧化物材料表面涂敷光刻胶并对光刻胶层采用化学机械抛光进行平坦化处理；再通过退火处理或等离子体处理未被光刻胶掩蔽的金属氧化物；最后剥离光刻胶并磁控溅射沉积源漏电极材料并通过光刻和湿法刻蚀形成源漏电极。本发明利用金属氧化物材料经特殊处理后可以由绝缘体转化为半导体的特点，制造有源层具有特殊结构的金属氧化物薄膜晶体管，能有效防止源漏极薄膜断裂现象的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种底栅金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步、在衬底上采用磁控溅射一层栅电极薄膜并通过光刻和湿法刻蚀形成栅电极；第二步、在栅电极上依次采用等离子体增强化学气相沉积栅绝缘层材料，并采用交流磁控溅射金属氧化物材料；第三步、在金属氧化物材料表面涂敷光刻胶并对光刻胶层采用化学机械抛光进行平坦化处理；第四步、通过退火处理或等离子体处理未被光刻胶掩蔽的金属氧化物，使之转化为载流子浓度增加至1013‑1015cm‑3以上的半导体；第五步、剥离光刻胶并磁控溅射沉积源漏电极材料并通过光刻和湿法刻蚀形成源漏电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110009722.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种光学垂准补偿器
- 下一篇：一种用于加热炉或保温炉的门帘
- 同类专利
- 专利分类
