[发明专利]从离子液体中沉积制备超疏水性锑化铟薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110009738.0 | 申请日： | 2011-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102127782A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 李梅;路庆华 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C25D3/56 | 分类号： | C25D3/56;C25D5/48 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种微纳米技术领域的从离子液体中沉积制备超疏水性锑化铟薄膜的方法，通过将基底置于含有氯化铟和氯化锑的1-甲基-3-乙基咪唑双三氟甲基磺酰亚胺盐溶液中进行电化学沉积得到薄膜，再对该薄膜进行表面化学修饰得到超疏水性锑化铟薄膜。本发明沉积得到的锑化铟薄膜经过表面化学修饰水滴的接触角大于150°，滚动角小于20°。本发明的方法简单易行，能够适用于各种导电基底表面。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 液体 沉积 制备 疏水 性锑化铟 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种从离子液体中沉积制备超疏水性锑化铟薄膜的方法，其特征在于，通过将基底置于含有氯化铟和氯化锑的1‑甲基‑3‑乙基咪唑双三氟甲基磺酰亚胺盐溶液中进行电化学沉积得到薄膜，再对该薄膜进行表面化学修饰得到超疏水性锑化铟薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110009738.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种铝基板表面结构处理方法
- 下一篇：适用于印制板孔金属化的电化镀铜
