[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管制备方法有效
| 申请号： | 201110009739.5 | 申请日： | 2011-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102157563A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 董承远;施俊斐 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/77 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体技术领域的金属氧化物薄膜晶体管制备方法，通过依次制备栅极层、栅绝缘层、金属氧化物层、漏电极层和器件保护层，并通过湿法刻蚀得到漏电极，通过干法蚀刻得到位于器件保护层上的接触孔，最后采用退火或等离子体处理接触孔中外露的金属氧化物使其转化成导体特性，实现晶体管制备。本发明利用金属氧化物半导体材料经特殊处理后可以转化为透明导电材料的特点，整个工艺流程通常仅需要四张掩模版，且不需要额外的像素电极成膜、光刻和刻蚀等工艺步骤，简化现有制备步骤并保持晶体管特性及显示驱动功能，降低了生产制造的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物薄膜晶体管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步、在衬底上采用磁控溅射技术沉积一层栅电极薄膜并采用湿法刻蚀得到栅极层；第二步、在栅极层上采用等离子体增强化学气相沉积栅绝缘层；第三步、在栅绝缘层上采用交流磁控溅射沉积金属氧化物，并采用湿法刻蚀得到金属氧化物层；第四步、在金属氧化物层上依次沉积漏电极层和器件保护层，并通过湿法刻蚀得到漏电极，通过干法蚀刻得到位于器件保护层上的接触孔；第五步、采用退火或等离子体处理接触孔中外露的金属氧化物使其转化成导体特性，实现晶体管制备。
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