[发明专利]顶栅金属氧化物薄膜晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201110009753.5 | 申请日： | 2011-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102157564A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 董承远;施俊斐 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L21/44;H01L21/77 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体技术领域的顶栅金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，通过依次制备源漏电极、金属氧化物材料；然后在金属氧化物材料的表面涂敷光刻胶并对光刻胶层进行采用化学机械抛光；并通过退火处理或等离子体处理未被光刻胶掩蔽的金属氧化物，最后剥离光刻胶并磁控溅射沉积栅绝缘层材料并通过湿法刻蚀形成栅极。本发明利用金属氧化物材料经特殊处理后可以由半导体转化为导体的特点，可以使金属氧化物薄膜与源漏电极间形成可靠的欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种顶栅金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步、在衬底上采用磁控溅射源漏电极材料并通过光刻和湿法刻蚀形成源漏电极；第二步、在源漏电极上采用等离子体增强化学气相沉积金属氧化物材料；第三步、在金属氧化物材料的表面涂敷光刻胶并对光刻胶层进行采用化学机械抛光；第四步、通过退火处理或等离子体处理未被光刻胶掩蔽的金属氧化物，使之转化为载流子浓度增加至1013‑1015cm‑3以上的半导体；第五步、剥离光刻胶并磁控溅射沉积栅绝缘层材料并通过湿法刻蚀形成栅极。
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