[发明专利]非晶硅图像传感器无效

专利信息
申请号: 201110020319.7 申请日: 2011-01-18
公开(公告)号: CN102142449A 公开(公告)日: 2011-08-03
发明(设计)人: 刘建强;王恒和 申请(专利权)人: 江苏康众数字医疗设备有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;G01T1/17
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 孙仿卫
地址: 215123 江苏省苏州市工业园*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种非晶硅图像传感器,包括多个像素单元以及信号线、扫描线和偏压线,至少有部分像素单元包括:光敏二极管,用于接收光信号,并输出对应于该光信号的电信号;第一开关装置,用于接收来自扫描线的驱动信号并控制来自光电二极管的电信号经由信号线输出的通路;存储电容,用于存储光敏二极管产生的电荷;第二开关装置,用于选择性地将存储电容并联在光敏二极管上;存储电容开关线,用于接收存储电容开关控制信号并控制第二开关装置接通或断开,存储电容开关线与第二开关装置的控制极相连。本发明通过第二开关装置,可选择地将存储电容并联在光敏二极管上,从而改变像素单元的电容大小,进而使非晶硅图像传感器具有双重的光学灵敏度和动态范围。
搜索关键词: 非晶硅 图像传感器
【主权项】:
一种非晶硅图像传感器,包括多个像素单元以及连接多个所述的像素单元的信号线、扫描线和偏压线,其特征在于,所述的非晶硅图像传感器中至少有部分所述的像素单元包括:光敏二极管,用于接收光信号,并输出对应于该光信号的电信号;第一开关装置,用于接收来自所述的扫描线的驱动信号并控制来自所述的光电二极管的所述的电信号经由所述的信号线输出的通路;存储电容,用于存储所述的光敏二极管产生的电荷;第二开关装置,用于选择性地将所述的存储电容并联在所述的光敏二极管上;存储电容开关线,用于接收存储电容开关控制信号并控制所述的第二开关装置接通或断开,所述的存储电容开关线与所述的第二开关装置的控制极相连。
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