[发明专利]非晶硅图像传感器无效
申请号: | 201110020319.7 | 申请日: | 2011-01-18 |
公开(公告)号: | CN102142449A | 公开(公告)日: | 2011-08-03 |
发明(设计)人: | 刘建强;王恒和 | 申请(专利权)人: | 江苏康众数字医疗设备有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01T1/17 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙仿卫 |
地址: | 215123 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种非晶硅图像传感器,包括多个像素单元以及信号线、扫描线和偏压线,至少有部分像素单元包括:光敏二极管,用于接收光信号,并输出对应于该光信号的电信号;第一开关装置,用于接收来自扫描线的驱动信号并控制来自光电二极管的电信号经由信号线输出的通路;存储电容,用于存储光敏二极管产生的电荷;第二开关装置,用于选择性地将存储电容并联在光敏二极管上;存储电容开关线,用于接收存储电容开关控制信号并控制第二开关装置接通或断开,存储电容开关线与第二开关装置的控制极相连。本发明通过第二开关装置,可选择地将存储电容并联在光敏二极管上,从而改变像素单元的电容大小,进而使非晶硅图像传感器具有双重的光学灵敏度和动态范围。 | ||
搜索关键词: | 非晶硅 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种非晶硅图像传感器,包括多个像素单元以及连接多个所述的像素单元的信号线、扫描线和偏压线,其特征在于,所述的非晶硅图像传感器中至少有部分所述的像素单元包括:光敏二极管,用于接收光信号,并输出对应于该光信号的电信号;第一开关装置,用于接收来自所述的扫描线的驱动信号并控制来自所述的光电二极管的所述的电信号经由所述的信号线输出的通路;存储电容,用于存储所述的光敏二极管产生的电荷;第二开关装置,用于选择性地将所述的存储电容并联在所述的光敏二极管上;存储电容开关线,用于接收存储电容开关控制信号并控制所述的第二开关装置接通或断开,所述的存储电容开关线与所述的第二开关装置的控制极相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的