[发明专利]具有存储电容结构的非晶硅图像传感器

摘要

一种具有存储电容结构的非晶硅图像传感器，它包括多个像素单元，各像素单元包括：栅极布线、第一绝缘层、有源层、数据布线、第二绝缘层、存储电容、光敏二极管、钝化层、偏置电压线，该存储电容设置于光敏二极管的下方，存储电容的下电极形成于玻璃基板上或者第一绝缘层上，上电极形成于介电层之上并与源电极相连接；光敏二极管的第一电极与存储电容的上电极共电极，光敏二极管的第二电极与存储电容的下电极以及偏置电压线导通。本发明通过将存储电容布置在光敏二极管的下方，能够在不增加或减小像素尺寸的条件下，增加像素单元的电荷存储容量，即达到在不损失薄膜晶体管矩阵面板的分辨率的前提下，提高薄膜晶体管矩阵面板的信号动态范围。

主权项

一种具有存储电容结构的非晶硅图像传感器，它包括设置在所述的图像传感器的有源区内的多个像素单元，其特征在于：各所述的像素单元均包括：栅极布线，形成于玻璃基板上，所述的栅极布线包括栅极线和与所述的栅极线相连接的栅极电极；第一绝缘层，形成于所述的栅极布线上；有源层，形成于所述的第一绝缘层上；数据布线，形成于所述的第一绝缘层上，所述的数据布线包括数据线、连接到所述的数据线并至少部分设置在所述的有源层上的漏电极、至少部分设置在所述的有源层上并与所述的漏电极间隔开的源电极，所述的栅极电极、第一绝缘层、有源层、源电极、漏电极构成薄膜晶体管；第二绝缘层，形成于所述的数据布线、有源层、源电极和漏电极上；所述的存储电容，包括下电极、上电极、位于所述的下电极和上电极之间的介电层，所述的下电极形成于所述的玻璃基板上或者所述的第一绝缘层上，所述的上电极形成于所述的介电层之上并与所述的源电极相连接；光敏二极管，位于所述的存储电容的上方，且所述的光敏二极管包括第一电极、与所述的第一电极相对的第二电极、位于所述的第一电极和第二电极之间的光电导层，所述的第一电极与所述的存储电容的上电极共用同一电极；钝化层，形成在所述的第二绝缘层和光敏二极管上；偏置电压线，设置在所述的钝化层上；所述的钝化层上具有暴露所述的光敏二极管的第二电极的第二接触孔，所述的钝化层、介电层上均具有暴露所述的存储电容的下电极的第三接触孔；所述的偏置电压线通过所述的第二接触孔和第三接触孔使所述的光敏二极管的第二电极与所述的存储电容的下电极相连接。