[发明专利]提高发光二极管发光效率的方法及其外延结构无效
| 申请号： | 201110020676.3 | 申请日： | 2011-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102117873A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李鸿建;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人： | 武汉迪源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/06 |
| 代理公司： | 武汉帅丞知识产权代理有限公司 42220 | 代理人： | 朱必武 |
| 地址： | 430074 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 提高发光二极管发光效率的方法及其外延结构，其特征在于：在发光二极管的外延结构中，将p型氮化镓层镶嵌到第j个量子阱层中，1≤j≤i，其中i为量子阱的数目。发光二极管的外延结构，依次包括衬底、过渡层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、量子阱层、p型氮化镓层，其特征在于：p型氮化镓层镶嵌到第j个量子阱层中，1≤j≤i，i为量子阱的数目。本专利结构简单、制作方便。相对传统结构，能较大地提高强LED的发光效率与饱和工作电流。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 发光二极管 发光 效率 方法 及其 外延 结构 | ||
【主权项】：
提高发光二极管发光效率的方法，其特征在于：在发光二极管的外延结构中，将p型氮化镓层镶嵌到第j个量子阱层中，1≤j≤i，其中i为量子阱层的数目。
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