[发明专利]一种具有场发射性质的掺N的SiC纳米线的制备方法无效
申请号: | 201110020858.0 | 申请日: | 2011-01-19 |
公开(公告)号: | CN102041554A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 张新霓;陈友强;龙云泽 | 申请(专利权)人: | 青岛大学 |
主分类号: | C30B29/36 | 分类号: | C30B29/36;C30B29/62;C30B25/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266071 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 一种具有场发射性能的掺N的SiC纳米线的制备方法,其包括以下具体步骤:(1)有机前驱体聚硅氮烷在保护气氛N2或Ar气气氛下,于260℃进行低温交联固化,得到非晶态固体,然后球磨粉碎;(2)将C基板在0.1~0.3mol/LFe(NO3)3或Co(NO3)2乙醇溶液中浸渍2~10s;(3)将粉碎得到的粉末置于石墨坩埚的底部,在其上方放置浸渍处理的C基板;(4)将石墨坩埚置于气氛烧结炉中,在Ar和N2不同比例的混合气氛保护下于1350~1550℃范围内进行高温热解,保温5~120min;(5)随炉冷却至室温,由此可在C基板上得到原位掺杂N的SiC纳米线。与已报道的没有掺杂的和掺Al的SiC纳米线阵列的场发射相比,本发明实现了掺N的具有优良场发射性能的SiC纳米线阵列的制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 发射 性质 sic 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有场发射性能的掺N的SiC纳米线的制备方法,其包括以下具体步骤:(1)有机前驱体聚硅氮烷在保护气氛N2或Ar气气氛下,于260℃进行低温交联固化,得到非晶态固体;(2)将非晶态固体在球磨机中进行球磨粉碎;(3)将C基板在0.1~0.3mol/LFe(NO3)3或Co(NO3)2乙醇溶液中浸渍2~10s(4)将粉碎得到的粉末置于石墨坩埚的底部,在其上方放置浸渍处理的C基板;(5)将石墨坩埚置于气氛烧结炉中,在Ar和N2不同比例的混合气氛保护下于1350~1550℃范围内进行高温热解,保温5~120min;(6)随炉冷却至室温,由此可在C基板上得到原位掺杂N的SiC纳米线;(7)将得到的原位掺杂N的SiC纳米线阵列进行场发射测试。
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