[发明专利]一种非硅基有机发光微显示器件、制备方法及其应用无效
申请号: | 201110021045.3 | 申请日: | 2011-01-13 |
公开(公告)号: | CN102163614A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 邱勇;徐粤;孙铁朋 | 申请(专利权)人: | 昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供非硅基有机发光微显示器件及其非硅基有机发光微显示模组,相对于硅基微型显示器件开口率更高,提高显示器亮度。本发明的非硅基有机发光微显示器件由以下组成,非硅基基板,沿一方向设置于该非硅基基板上的多个第一电极和沟道,有机层,沿该方向的垂直方向设置的多个第二电极和隔离柱,第一电极与所述非硅基基板之间的夹角小于45度;相邻第一电极通过沟道隔开,相邻第二电极通过隔离柱隔开;该非硅基有机发光微显示器件对角线小于1英寸,且PPI大于1000个。相对于传统有机发光器件,本发明通过光刻后的钝化处理,不需要再制备绝缘层,直接将绝缘层制备在第一电极上,节省制备工艺步骤。 | ||
搜索关键词: | 一种 非硅基 有机 发光 显示 器件 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
一种非硅基有机发光微显示器件,由以下组成,非硅基基板,沿一方向设置于该非硅基基板上的多个第一电极和沟道,有机层,沿该方向的垂直方向设置的多个第二电极和隔离柱,其特征在于,第一电极与所述非硅基基板之间的夹角小于45度;相邻第一电极通过沟道隔开,相邻第二电极通过隔离柱隔开;该非硅基有机发光微显示器件对角线小于1英寸,且PPI大于1000个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的