[发明专利]发光二极管封装结构与其槽型封装导线架的形成方法无效

专利信息
申请号: 201110021153.0 申请日: 2011-01-14
公开(公告)号: CN102593271A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 薛川流 申请(专利权)人: 九介企业股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/60;H01L33/54
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;张燕华
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种发光二极管封装结构与其槽型封装导线架的形成方法,适于封装一发光二极管芯片。此种形成方法包括覆盖光阻于铜材的表面上;经由曝光显影令光罩的影像成形于光阻上;除去未键结的光阻、蚀刻未被光阻覆盖的铜材、除去剩余的光阻并且电镀铜材,以形成具有至少一异径孔的导线架。具有高反射系数材料的塑件是通过填充异径孔连接于导线架上,藉此,发光二极管封装结构不仅具有较佳的发光亮度,更兼具良好的结构强度。
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构 与其 导线 形成 方法
【主权项】:
一种发光二极管封装结构的导线架的形成方法,适于形成一槽型封装导线架,其特征在于,包括以下步骤:覆盖一光阻于一铜材的至少一表面上;将覆盖有该光阻的该铜材置放于一光罩下,并经由曝光使得该光罩的影像成形于该光阻上;移去未键结的该光阻;蚀刻未被该光阻覆盖的该铜材,以形成穿透该铜材的该表面的至少一异径孔;除去该光阻,并且电镀该铜材,以形成一导线架;以及于该导线架上被覆至少一高反射系数材料的塑件,且该塑件系填充该异径孔,以形成该槽型封装导线架。
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