[发明专利]用于镶嵌互连件中的电迁移电阻改进的界面层有效
| 申请号： | 201110021170.4 | 申请日： | 2011-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN102130046A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 阿南达·班纳吉;乔治·安德鲁·安东内利;詹尼佛·奥洛克林;曼蒂阿姆·斯里拉姆;巴尔特·范施拉文迪杰克;塞莎赛义·瓦拉达拉詹 | 申请（专利权）人： | 诺发系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/00;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 使用驻留在金属线与电介质扩散势垒(或蚀刻终止)层之间的界面处的保护盖来改进互连件的电迁移性能。通过借助在至少约350℃的衬底温度下在无等离子体的情况下用有机铝化合物处理无氧化物的铜表面而将第一含铝材料层沉积在暴露的铜线上，来形成保护盖。所述所形成的含铝层在化学转化中被部分或完全钝化，所述化学转化在所述层中形成Al-N、Al-O或Al-O与Al-N键两者。在一些实施例中，通过在无等离子体的情况下使具有暴露的第一层的衬底与含氧反应物和/或含氮反应物接触来执行钝化。可在包括暴露的ULK电介质的衬底上形成保护盖。驻留在所述电介质部分上的所述含铝层通常将自发地形成包括Al-O键的非导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 镶嵌 互连 中的 迁移 电阻 改进 界面 | ||
【主权项】：
一种用于形成半导体装置结构的方法，所述方法包括：(a)在至少约350℃的衬底温度下使具有暴露的无氧化物的铜或铜合金区和暴露的电介质区的衬底与包括铝的化合物接触，以在所述电介质和所述铜或铜合金层两者上形成包括铝的第一层；(b)以化学方法对所述第一层的至少一部分进行改性以形成包括铝的钝化层；以及(c)在所述钝化层上沉积电介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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