[发明专利]显示装置及显示装置的制造方法有效
申请号: | 201110021240.6 | 申请日: | 2011-01-14 |
公开(公告)号: | CN102163575A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 后藤顺;畠山荣祐;安生健二;荻岛义智 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立显示器 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L29/786;H01L29/417;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了显示装置及显示装置的制造方法,所述制造方法制造的显示装置具有栅电极膜、第一电极膜及第二电极膜以及导电膜,所述导电膜与第一电极膜连接,由包括第一导电层及与第一导电层重叠而形成的第二导电层的导电层构成。所述显示装置的制造方法的特征在于,包括如下工序:形成第一电极膜和第二电极膜的电极膜形成工序;形成导电层使其与第一电极膜及第二电极膜连接的导电层形成工序;从导电层中除去规定区域以外的部分由此形成导电膜的导电膜形成工序,导电层形成工序包括:在第一电极膜及第二电极膜的上面分别形成第一导电层的第一导电层形成工序;和在第一导电层的上面形成第二导电层的第二导电层形成工序。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种显示装置的制造方法,所述显示装置具有栅电极膜;第一电极膜及第二电极膜,所述第一电极膜及所述第二电极膜分别位于通过绝缘膜与所述栅电极膜隔开的位置;导电膜,所述导电膜与第一电极膜连接,由包括第一导电层及与第一导电层重叠而形成的第二导电层的导电层构成,所述显示装置的制造方法的特征在于包括以下工序:电极膜形成工序,形成所述第一电极膜和所述第二电极膜;导电层形成工序,形成所述导电层,使其与所述第一电极膜及所述第二电极膜连接;导电膜形成工序,从所述导电层中除去规定区域以外的部分,由此形成所述导电膜,所述导电层形成工序包括:在所述第一电极膜及所述第二电极膜的上面分别形成所述第一导电层的第一导电层形成工序;以及在所述第一导电层的上面形成所述第二导电层的第二导电层形成工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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