[发明专利]制备大高宽比结构器件的方法无效
| 申请号： | 201110021340.9 | 申请日： | 2011-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102608862A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 谢常青;辛将;朱效立;高南;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20;G03F7/16;G02B5/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备大高宽比结构器件的方法。该方法采用分次沉积图形层的方法，通过控制沉积图形的次数以及每次沉积图形的高宽比来控制高宽比，提高了制作高宽比很大的器件的成功率，降低了生产成本。并且，本发明采用一次电子束直写和一次X射线曝光即可做出具有大高宽比结构的器件，在能量很高的射线领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 大高宽 结构 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制备大高宽比结构器件的方法，其特征在于，该方法包括：制备图形相同、有对准标记的掩膜板A和半成品掩模板B，所述半成品掩模板B制作到去除第一层光刻胶之前；在所述半成品掩膜板B上旋涂第二层光刻胶；按照所述对准标记，以所述掩膜板A为掩膜，对所述半成品掩膜板B进行第二次曝光和显影，所述显影后形成的空隙直到所述半成品掩膜板B上原有的第一图形层；在所述半成品掩膜板B上显影形成的空隙中，沉积第二图形层，所述第二图形层与所述第一图形层紧密结合；以及去除所述掩膜板B上所有光刻胶，形成大高宽比结构器件。
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