[发明专利]一种存储器装置的编程方法无效
| 申请号： | 201110021528.3 | 申请日： | 2011-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102592673A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 蔡富凯;刘建宏 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器装置的编程方法，存储器装置包含多个位，每个位具有多个编程状态，于其中每个编程状态具有一对应的编程确认(PV)电平。此方法包括：施加一第一顺序的编程击发以利用具有对应于被编程的各个编程状态的一最大值的一偏压来编程存储器装置的最快速位；降低偏压以施加一第二顺序的编程击发以编程存储器装置的快速位达到N个编程击发；以及增加关于大于N的编程击发的偏压以编程存储器装置的慢速位。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 装置 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器装置的编程方法，该存储器装置包含多个位，每个位具有多个编程状态，每个编程状态具有一对应的编程确认(PV)电平，该方法包括：施加一第一顺序(first sequence)的一个或多个编程击发(program shot)，用以利用具有对应于被编程的各个编程状态的一最大值的一偏压来编程该存储器装置的多个最快速位(fastest bits)；降低该偏压以施加一第二顺序(second sequence)的一个或多个编程击发，以编程该存储器装置的多个快速位(fast bits)达到N个编程击发；以及增加关于大于N的多个编程击发的该偏压以编程该存储器装置的多个慢速位(slow bits)。
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