[发明专利]双层栅沟槽MOS结构中形成底部氧化层的方法无效
| 申请号： | 201110021566.9 | 申请日： | 2011-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102610522A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 李陆萍;丛茂杰;金勤海 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的双层栅沟槽MOS结构中形成底部氧化层的方法，包括如下步骤：步骤一，沟槽形成后，先在沟槽内壁和衬底表面生长一层氧化层；步骤二，接着采用HDP工艺淀积氧化层，在所述沟槽内形成预定厚度的HDP氧化层；步骤三，而后去除位于所述沟槽侧壁的氧化层；步骤四，在沟槽侧壁形成氧化层，完成双层栅功率MOS结构中底部氧化层的制备。采用本发明的方法，形成底部氧化层较厚的结构，能有效降低器件源漏之间的电容。 | ||
| 搜索关键词： | 双层 沟槽 mos 结构 形成 底部 氧化 方法 | ||
【主权项】：
一种双层栅沟槽MOS结构中形成底部氧化层的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，沟槽形成后，先在沟槽内壁和衬底表面生长一层氧化层；步骤二，接着采用HDP工艺淀积氧化层，在所述沟槽内形成预定厚度的HDP氧化层；步骤三，而后去除位于所述沟槽侧壁的氧化层；步骤四，在沟槽侧壁形成氧化层，完成双层栅功率MOS结构中底部氧化层的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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