[发明专利]一种具有超陡亚阈值斜率的阻变场效应晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201110021582.8 | 申请日： | 2011-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102117835A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 黄芊芊;詹瞻;黄如;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有超陡亚阈值斜率的阻变场效应晶体管，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该阻变场效应晶体管包括一个控制栅电极层、一个栅介质层、一个半导体衬底、一个源掺杂区和一个漏掺杂区，控制栅采用栅叠层结构，其依次为底层——底电极层，中间层——阻变材料层和顶层——顶电极层。本发明与现有的突破传统亚阈值斜率极限的方法相比，该器件有较大的导通电流、较低的工作电压以及较好的亚阈特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 超陡亚 阈值 斜率 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变场效应晶体管，其特征在于，包括一个控制栅电极层、一个栅介质层、一个半导体衬底、一个源掺杂区和一个漏掺杂区，控制栅采用栅叠层结构，其依次为底层——底电极层，中间层——阻变材料层和顶层——顶电极层。
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