[发明专利]气体处理系统有效
申请号: | 201110021659.1 | 申请日: | 2008-01-11 |
公开(公告)号: | CN102127752A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | B·米特洛维奇;A·居拉瑞;E·A·阿穆尔 | 申请(专利权)人: | 威科仪器有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘佳斐;蔡胜利 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 如转盘式反应器(10)的有机金属化学汽相沉积(MOCVD)反应器具有气体喷射器头部,该喷射器头部具有布置在相邻的气体进口之间的扩散器(129)。所述扩散器在下游方向上成锥形。所述喷射器头部理想地具有用于如烷基金属的第一气体的、径向成排布置的进口(117),该进口从反应壁向内径向地终止以使反应壁上的反应物的沉积最少。喷射器头部还理想地具有用于如氨气的第二气体的、布置在成排的第一气体进口之间的区域中的进口(125),并且另外具有用于第二气体的、与旋转轴线同轴的中心进口(135)。 | ||
搜索关键词: | 气体 处理 系统 | ||
【主权项】:
一种处理一个或多个基片的方法,包括:(a)关于轴线旋转承载该基片的盘状保持器,同时保持该基片的表面实质上垂直于该轴线并且面向沿该轴线的上游方向;和,在该旋转步骤期间,(b)将第一气体在平行于该轴线的下游方向上朝着该基片排放为第一组气流,该第一组气流从该轴线延伸至第一径向距离,并且同时将第二气体在下游方向上排放为第二组气流,该第二组气流从该轴线延伸至大于第一径向距离的第二径向距离。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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