[发明专利]一种中孔孔径分布集中的氧化铝制备方法无效
| 申请号： | 201110021850.6 | 申请日： | 2011-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN102120599A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 辛秀兰;徐培力;徐培全;徐宝财 | 申请（专利权）人： | 北京工商大学;山东浩霖石油化工科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01F7/42 | 分类号： | C01F7/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100048*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种中孔孔径分布集中的氧化铝制备方法，属于金属有机化合物合成技术领域。采用纯度大于99.5％的金属铝和C4-C8醇反应制备烷氧基铝，烷氧基铝通过水解、老化干燥后得到孔径范围在3-20nm的中孔氧化铝。本发明克服了制备中孔氧化铝需要外加模板剂和其他助剂，再通过煅烧法去除模板剂和助剂的缺点。通过选用不同醇和控制水解条件，能够得到各种中孔大小的纯度高达99.9％氧化铝，本发明的方法使中孔氧化铝的制备工艺简化，制备效率高、制备成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 孔径 分布 集中 氧化铝 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种中孔孔径分布集中的氧化铝，其特征在于中孔3‑8nm的孔分布大于85％，其制备步骤包括：(1)将C4‑C8醇与金属铝在在溶剂油和催化剂三氯化铝存在下反应，趁热过滤后得到烷氧基铝；(2)烷氧基铝中加入去离子水水解，水解产物老化和干燥后得到中孔氧化铝。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工商大学;山东浩霖石油化工科技股份有限公司，未经北京工商大学;山东浩霖石油化工科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110021850.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种差动式抹灰装置
- 下一篇：滑跃式航母舰载机弹射器及弹射方法
