[发明专利]一种制备内嵌光栅结构的聚合物太阳能电池的方法有效
申请号: | 201110022217.9 | 申请日: | 2011-01-19 |
公开(公告)号: | CN102117889A | 公开(公告)日: | 2011-07-06 |
发明(设计)人: | 甄红宇;黄卓寅;李衎;李国龙;刘旭 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/44 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人: | 胡红娟 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种制备内嵌光栅结构的聚合物太阳能电池的方法,在透明衬底上制备透明阳极,采用摩擦法在阳极缓冲层形成光栅结构,从而在透明阳极上制备具有光栅结构的阳极缓冲层,通过在阳极缓冲层上覆型形成具有光栅结构的光伏功能层和阴极,得到内嵌光栅结构的聚合物太阳能电池。由于光栅结构通过色散和散射作用增加入射光在光伏功能层内的光程,本发明制得的聚合物太阳能电池具有陷光功能,太阳能电池的光吸收性能好,器件效率得到了有效改善。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 光栅 结构 聚合物 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
一种制备内嵌光栅结构的聚合物太阳能电池的方法,包括以下步骤:(1)在透明衬底上制备透明阳极;(2)在所述的透明阳极上制备具有光栅结构的阳极缓冲层,所述的具有光栅结构的阳极缓冲层的材料为4‑乙撑二氧噻吩∶聚苯乙烯磺酸;包括:将质量百分比浓度为1~20%的4‑乙撑二氧噻吩∶聚苯乙烯磺酸的水溶液在所述的透明阳极上旋涂成膜后烘干,在所述的透明阳极上形成厚度为10~300nm的4‑乙撑二氧噻吩∶聚苯乙烯磺酸膜;所述的旋涂过程包括:前期转速100~3000rpm,时间1~60秒;后期转速1000~5000rpm,时间为10~180s;使用摩擦介质摩擦4‑乙撑二氧噻吩∶聚苯乙烯磺酸膜,在4‑乙撑二氧噻吩∶聚苯乙烯磺酸膜上形成光栅结构,得到具有光栅结构的阳极缓冲层;所述的光栅结构中,光栅周期为0.5~5微米,占空比0.3~0.8;所述的摩擦介质为绒织物,4‑乙撑二氧噻吩∶聚苯乙烯磺酸膜与绒织物接触深度为0.01~0.50mm;(3)通过溶液成膜法,在所述的具有光栅结构的阳极缓冲层上制备具有光栅结构的光伏功能层,所述的具有光栅结构的光伏功能层中的光活性材料为有机/聚合物半导体材料;(4)在所述的具有光栅结构的光伏功能层上制备具有光栅结构的阴极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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