[发明专利]一种制备内嵌光栅结构的聚合物太阳能电池的方法有效

专利信息
申请号: 201110022217.9 申请日: 2011-01-19
公开(公告)号: CN102117889A 公开(公告)日: 2011-07-06
发明(设计)人: 甄红宇;黄卓寅;李衎;李国龙;刘旭 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/42;H01L51/44
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 胡红娟
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种制备内嵌光栅结构的聚合物太阳能电池的方法,在透明衬底上制备透明阳极,采用摩擦法在阳极缓冲层形成光栅结构,从而在透明阳极上制备具有光栅结构的阳极缓冲层,通过在阳极缓冲层上覆型形成具有光栅结构的光伏功能层和阴极,得到内嵌光栅结构的聚合物太阳能电池。由于光栅结构通过色散和散射作用增加入射光在光伏功能层内的光程,本发明制得的聚合物太阳能电池具有陷光功能,太阳能电池的光吸收性能好,器件效率得到了有效改善。
搜索关键词: 一种 制备 光栅 结构 聚合物 太阳能电池 方法
【主权项】:
一种制备内嵌光栅结构的聚合物太阳能电池的方法,包括以下步骤:(1)在透明衬底上制备透明阳极;(2)在所述的透明阳极上制备具有光栅结构的阳极缓冲层,所述的具有光栅结构的阳极缓冲层的材料为4‑乙撑二氧噻吩∶聚苯乙烯磺酸;包括:将质量百分比浓度为1~20%的4‑乙撑二氧噻吩∶聚苯乙烯磺酸的水溶液在所述的透明阳极上旋涂成膜后烘干,在所述的透明阳极上形成厚度为10~300nm的4‑乙撑二氧噻吩∶聚苯乙烯磺酸膜;所述的旋涂过程包括:前期转速100~3000rpm,时间1~60秒;后期转速1000~5000rpm,时间为10~180s;使用摩擦介质摩擦4‑乙撑二氧噻吩∶聚苯乙烯磺酸膜,在4‑乙撑二氧噻吩∶聚苯乙烯磺酸膜上形成光栅结构,得到具有光栅结构的阳极缓冲层;所述的光栅结构中,光栅周期为0.5~5微米,占空比0.3~0.8;所述的摩擦介质为绒织物,4‑乙撑二氧噻吩∶聚苯乙烯磺酸膜与绒织物接触深度为0.01~0.50mm;(3)通过溶液成膜法,在所述的具有光栅结构的阳极缓冲层上制备具有光栅结构的光伏功能层,所述的具有光栅结构的光伏功能层中的光活性材料为有机/聚合物半导体材料;(4)在所述的具有光栅结构的光伏功能层上制备具有光栅结构的阴极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学,未经浙江大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110022217.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top