[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201110022394.7 | 申请日： | 2006-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102176437A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 永井纪行;滨谷毅;三村忠昭 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体器件，通过加厚层间膜(22)，并将电极焊盘(11)的一部分或全部引出到有源区(16)且形成于该区，能使输入输出区(15)缩小，因而能缩小半导体器件的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，该半导体装置由第1区域和第2区域构成，其特征在于，具有：形成于所述第1区域并引出内部布线的焊盘金属件；以使所述焊盘金属件的一部分露出的状态形成在所述第1区域和所述第2区域的层间膜；在所述第2区域的所述层间膜上形成一部分或全部的电极焊盘；与所述焊盘金属件和所述电极焊盘电连接的通道孔；以及以使所述电极焊盘露出的状态形成的保护膜，所述焊盘金属件的外周小于所述电极焊盘的外周。
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