[发明专利]一种多晶硅提纯装置及提纯方法无效

专利信息
申请号: 201110022399.X 申请日: 2011-01-20
公开(公告)号: CN102602933A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 明瑞法;杨强;肖实生;杨建云;杨旸 申请(专利权)人: 江西开昂新能源科技有限公司
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037;C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 338000 江西省*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明的目的是提供一种改进的多晶硅提纯装置和提纯方法,所述装置包括:电磁感应熔炼单元(001)、等离子冶炼炉(200)、恒温石英导管(101)、电子束熔炼炉(305)以及定向凝固单元(401)。所述多晶硅提纯方法包括:电磁感应熔炼步骤、等离子冶炼步骤、电子束熔炼步骤以及定向凝固步骤,使电子束熔炼后的高温硅液在上下温度梯度下定向冷却凝固并均匀拉坯。本发明将离子束吹气氧化和电子束熔炼在各自独立的真空环境进行,提供最优除杂提纯工艺。设备简单,成本低廉,工艺可控,减少中间污染环节,实现了低能耗、快速高效生产太阳能级多晶硅。
搜索关键词: 一种 多晶 提纯 装置 方法
【主权项】:
一种多晶硅提纯装置,其特征在于,包括:电磁感应熔炼单元(001),以电磁感应加温熔融金属硅料生成高温硅液;等离子冶炼炉(200),在真空环境下离子束吹气氧化冶炼高温硅液;恒温石英导管(101),将等离子冶炼炉(200)内的高温硅液恒温导入电子束熔炼炉(305);电子束熔炼炉(305),在真空环境下以高能电子束轰击高温硅液;定向凝固单元(401),使从电子束熔炼炉(305)流出的高温硅液在上下温度梯度下定向冷却凝固并均匀拉坯。
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