[发明专利]降低寄生晶体管导通的功率组件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种低寄生晶体管导通的功率组件，包含沟渠式晶体管和一设置在沟渠式晶体管的一源极的一侧的重掺杂区，重掺杂区的导电型态和源极相异，另外，一接触插塞接触并且电连结重掺杂区，一源极导线覆盖沟渠晶体管的源极以及前述的接触插塞，使得源极和重掺杂区形成等电位。

主权项

一种低寄生晶体管导通的功率组件，其特征在于，包含：一基材包含一基底、一第一半导体层和一第二半导体层依次覆盖于所述基底上，所述基材划分为一有源区域和一外围区域；一沟渠式晶体管位于所述基材的所述有源区域中，所述沟渠式晶体管包含：一第一凹入式栅极结构埋入于所述第二半导体层并且延伸至所述第一半导体层；以及一源极位于所述第一凹入式栅极结构的二侧，其中所述第一半导体层作为所述沟渠式晶体管的一漏极；一第一重掺杂区位于所述有源区域中的所述第二半导体层，并且在所述源极的一侧，其中所述第一重掺杂区的导电型态和所述第二半导体层相同；一第一接触插塞位于所述第二半导体层中，且所述接触插塞的底部接触所述第一重掺杂区；以及一源极导线接触所述有源区域上的所述源极和所述第一接触插塞的顶部。