[发明专利]肖特基二极管器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110022680.3 | 申请日： | 2011-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102694033A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 张帅;李冰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/417;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基二极管器件，利用接触孔电极之间的合理间距，以及p型重掺杂区形成的p型增压环，可以确保器件结构的击穿电压。本发明还公开了所述肖特基二极管器件的制造方法，可以简化制造工艺，而且不额外增加工艺步骤和制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管器件，其特征是，所述肖特基二极管器件的具体结构为：在衬底之上具有n型埋层和p型埋层，在n型埋层和p型埋层之上为n型外延层；在n型外延层的表面具有多个隔离结构；在n型外延层中具有高压n阱，高压n阱的底部与n型埋层相接触；在n型外延层中还具有p阱一，p阱一的底部与p型埋层相接触；在高压n阱中具有n阱二；在n型外延层中还具有p阱二；在n阱二的表面具有n型重掺杂区；在p阱二的表面具有p型重掺杂区；n型重掺杂区和p型重掺杂区之间由隔离结构相隔离；在隔离结构、n型重掺杂区、p型重掺杂区和n型外延层之上具有层间介质；在层间介质中具有多个接触孔，每个接触孔的底部和侧壁都具有阻挡层金属硅化物，每个接触孔的其余区域填充有接触孔电极，每个接触孔电极的下方均通过阻挡层金属硅化物与n型重掺杂区、p型重掺杂区或n型外延层相接触；在层间介质之上具有负极和正极，负极和正极均与接触孔电极的顶部相接触；负极下方通过接触孔电极、阻挡层金属硅化物和n型重掺杂区相接触；正极下方通过接触孔电极、阻挡层金属硅化物和p型重掺杂区或n型 外延层相接触；所述正极下方的接触孔电极之间的间距小于或等于5μm。
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