[发明专利]裸晶圆灌孔封装技术无效
| 申请号： | 201110022798.6 | 申请日： | 2011-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102610532A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 涂嘉晋;李应煌 | 申请（专利权）人： | 涂嘉晋;李应煌 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 龚燮英 |
| 地址： | 中国台湾臺北县板桥市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 裸晶圆灌孔封装技术，它涉及一种晶圆封装技术。它的工艺流程为：(1)依据接点设计的需要，裸晶圆上的接点默认位置先以TSV和RDL程序做出灌孔，而灌孔中镀上导电金属，进行CMP整平裸晶圆表面；(2)裸晶圆上进行晶圆成型的制程，并将对外的接点回路与TSV做出灌孔连接；(3)晶圆成型的制程后将对外接点亦生成于金属层上，在金属层表面镀上一层钝化层；(4)直接殖锡球或直接做MetalBumping，再将晶圆切割成晶粒。它可以完全减少基板、打线材和灌胶的成本，可以进行内存高密度封装，完全没有上限，完全突破封装空间的极限。将整个MCP或者是SiP推进到晶圆级技术，封装厂和晶圆厂将无明显的界线。 | ||
| 搜索关键词： | 裸晶圆灌孔 封装 技术 | ||
【主权项】：
裸晶圆灌孔封装技术，其特征在于它的工艺流程为：(1)依据接点设计的需要，裸晶圆上的接点默认位置先以TSV和RDL程序做出灌孔，而灌孔中镀上导电金属，进行CMP整平裸晶圆表面；(2)裸晶圆上进行晶圆成型的制程，并将对外的接点回路与TSV做出灌孔连接；(3)晶圆成型的制程后将对外接点亦生成于金属层上，在金属层表面镀上一层钝化层；(4)直接殖锡球或直接做Metal Bumping，再将晶圆切割成晶粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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