[发明专利]一种制备多晶硅薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110022936.0 | 申请日： | 2011-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102041552A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 羊亿;李广;左敏 | 申请（专利权）人： | 湖南师范大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B25/02;C23C16/24;C23C16/02 |
| 代理公司： | 长沙星耀专利事务所 43205 | 代理人： | 赵静华 |
| 地址： | 410081*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种应用于硅薄膜太阳能电池的多晶硅薄膜的制备方法。是在衬底上采用磁控溅射或真空热蒸发方法，制备一层厚度为1～10纳米的金属诱导生长层；将镀有金属诱导生长层的衬底置于等离子增强化学气相沉积系统中，用高氢稀释硅烷作为反应气体，沉积多晶硅薄膜。本发明的方法所形成的多晶硅薄膜无需退火再结晶，并能快速低温沉积出高质量的多晶硅薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 多晶 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，在制备多晶硅薄膜前先沉积一层金属做为诱导层，使诱导生长与晶化同时进行。
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