[发明专利]一种硅砖及其制备方法无效
申请号: | 201110023758.3 | 申请日: | 2011-01-21 |
公开(公告)号: | CN102167606A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
发明(设计)人: | 顾华志;朱晶晶;彭耐 | 申请(专利权)人: | 武汉科技大学 |
主分类号: | C04B35/66 | 分类号: | C04B35/66 |
代理公司: | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人: | 樊戎 |
地址: | 430081 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明具体涉及一种硅砖及其制备方法。其技术方案是:将55~75wt%的硅石骨料、17~32wt%的硅石细粉、2~8wt%的硅微粉和2~6wt%的矿化剂混合,外加上述混合料0.5~4wt%的亚硫酸纸浆废液,混练,压制成型;干燥后置入高温炉中,以25~35℃/h的升温速率升温至1000~1400℃,保温8~10h,制得硅砖。本发明制备工艺简单、生产成本低、烧成温度较低和环保节能,所制备的硅砖在烧成过程中能够生成大量的鳞石英,具有荷重软化点高,残余石英少,体积变化小,致密度高、强度高的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅砖 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种硅砖的制备方法,其特征在于将55~75wt%的硅石骨料、17~32wt%的硅石细粉、2~8wt%的硅微粉和2~6wt%的矿化剂混合,外加上述混合料0.5~4wt%的亚硫酸纸浆废液,混练,压制成型;干燥后置入高温炉中,以25~35℃/h的升温速率升温至1000~1400℃,保温8~10h,制得硅砖。
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