[发明专利]直接合成酞菁钴晶体的新方法无效
| 申请号： | 201110024928.X | 申请日： | 2011-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN102070642A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 夏道成 | 申请（专利权）人： | 运城学院 |
| 主分类号： | C07D487/22 | 分类号： | C07D487/22 |
| 代理公司： | 山西太原科卫专利事务所 14100 | 代理人： | 赵襄元 |
| 地址： | 044000 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了直接合成酞菁钴晶体的新方法，属于有机合成技术领域，涉及用钴盐合成酞菁钴晶体的方法，解决现有酞菁类化合物晶体生长周期长、成功率低和成本高的问题。包括以下步骤：将钴盐和吲哚放入带有聚四氟乙烯内衬的钢弹中，钴盐和吲哚的摩尔比为1:4，加入二甲基甲酰胺，加热反应后，冷却至室温，用甲醇过滤冲洗，即得紫色针状的酞菁钴晶体，分子式为C32H16CoN8。依据本发明方法可直接合成得到酞菁类化合物单晶，满足酞菁类化合物分子结构的表征、参数测量及制备各种光电器件的要求，此方法大大缩短了单晶生长时间，用8小时就可以生长出10.5mm的单晶，同时成功率100%，设备简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 直接 合成 酞菁钴 晶体 新方法 | ||
【主权项】：
一种直接合成酞菁钴晶体的新方法，其特征是包括以下步骤：将钴盐和吲哚放入带有聚四氟乙烯内衬的钢弹中，钴盐和吲哚的摩尔比为1:4，加入二甲基甲酰胺，加热反应后，冷却至室温，用甲醇过滤冲洗，即得紫色针状的酞菁钴晶体，分子式为C32H16CoN8。
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