[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201110025051.6 | 申请日： | 2011-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102157479A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 郭正铮;刘醇鸿;陈承先 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置，包含至少两个导电垫，其中，一导电垫形成于至少两个导电垫之中的另一个导电垫上，及从至少一个导电垫延伸出来的一重分布层。该半导体装置也包含了一形成于导电垫之上且与导电垫电性连接的凸块结构。本发明具有两个或以上导电垫的半导体装置可保护避免金属间介电层产生接合面剥离，或其他因凸块结构应力与应变或封装过程引起的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一基板；至少两个导电垫，形成于该基板上，其中一个导电垫形成于另一个之上，且一重分布层延伸至其中至少一个导电垫；及一凸块结构，形成于所述多个导电垫之上，并且与所述多个导电垫电性连接。
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