[发明专利]存储器件无效
| 申请号： | 201110025446.6 | 申请日： | 2011-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN102339847A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 宋锡杓 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L23/52;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;张文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器件，其包括：存储单元，所述存储单元包括多个第一导线以及与第一导线交叉的多个第二导线；以及驱动单元模块，所述驱动单元模块经由多个接触中的相应接触而与所述多个第一导线耦合，并且经由所述多个接触中的相应接触而与所述多个第二导线耦合，其中随着第一导线沿着第二导线延伸的方向变得越来越远离驱动单元模块，第一导线的相应接触具有越来越低的电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种存储器件，包括：存储单元，所述存储单元包括多个第一导线以及与所述第一导线交叉的多个第二导线；以及驱动单元模块，所述驱动单元模块经由多个接触中的相应接触与所述多个第一导线耦合，并且经由所述多个接触中的相应接触与所述多个第二导线耦合，其中随着所述第一导线沿着所述第二导线延伸的方向变得越来越远离所述驱动单元模块，所述第一导线的所述相应接触具有越来越低的电阻值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
