[发明专利]三维MOS晶体管、固体摄像器件及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201110025464.4 | 申请日： | 2011-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102170529A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 筱原武一 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H04N5/335 | 分类号： | H04N5/335;H04N5/374;H04N5/3745;H01L27/146;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及三维MOS晶体管、固体摄像器件、固体摄像器件的制造方法和包括该固体摄像器件的电子装置。该固体摄像器件包括：像素区域，其中布置有包括光电转换部和多个像素晶体管的多个像素，其中，所述像素晶体管的传输晶体管包括：延伸于基板表面中的传输栅极，其形成在半导体基板的表面上；及掩埋于所述基板中的传输栅极，其与所述延伸于基板表面中的传输栅极电绝缘，所述掩埋于基板中的传输栅极穿过所述延伸于基板表面中的传输栅极在垂直方向上嵌入到所述半导体基板的内部。本发明的固体摄像器件能够增加每单位面积的饱和电荷量。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 mos 晶体管 固体 摄像 器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种固体摄像器件，其包括：像素区域，其中布置有包括光电转换部和多个像素晶体管的多个像素，其中，所述像素晶体管中的传输晶体管包括：延伸于基板表面中的传输栅极，其形成在半导体基板的表面上；及掩埋于所述基板中的传输栅极，其与所述延伸于基板表面中的传输栅极电绝缘，所述掩埋于基板中的传输栅极穿过所述延伸于基板表面中的传输栅极而在垂直方向上嵌入到所述半导体基板的内部。
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