[发明专利]金属氧化物半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201110025571.7 | 申请日： | 2011-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102610652A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 林钦雯;黄全一;黄仲钦;辛哲宏 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/40;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/43 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属氧化物半导体结构及其制造方法，该结构具有：一基板；一栅电极，沉积于该基板上方；一闸绝缘层，沉积于该栅电极及该基板上方；一IGZO层，沉积于该闸绝缘层上方，用以充作一通道；一源电极，沉积于该闸绝缘层上方且与该IGZO层的一侧相邻；一漏电极，沉积于该闸绝缘层上方且与该IGZO层的另一侧相邻；一第一钝化层，沉积于该源电极、该IGZO层、及该漏电极上方；一第二钝化层，沉积于该第一钝化层上方；以及一不透明树脂层，沉积于该源电极、该第二钝化层、及该漏电极上方。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体结构，其特征在于具有：一基板；一栅电极，其沉积于该基板上方的一金属导体，用以与一栅极驱动信号耦接；一闸绝缘层，其沉积于该栅电极及该基板上方的一绝缘层；一IGZO层，其沉积于该闸绝缘层上方的一铟镓锡氧化物层，用以充作一通道；一源电极，其沉积于该IGZO层一侧的一金属导体，用以与一源极驱动信号耦接；一漏电极，其沉积于该IGZO层另一侧的一金属导体，用以与一画素电极耦接；一第一钝化层，其沉积于该源电极、该IGZO层、及该漏电极上方的一第一硅化合物层；一第二钝化层，其沉积于该第一钝化层上方的一第二硅化合物层；以及一树脂层，其沉积于该源电极、该第二钝化层、及该漏电极上方的一不透明树脂层。
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