[发明专利]氮化镓基板的制作方法无效
| 申请号： | 201110025728.6 | 申请日： | 2011-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN102610705A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 曾坚信 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L33/16;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种氮化镓基板的制作方法，其首先在一个氮化镓单晶基板中形成一层离子植入层从而将氮化镓单晶基板分成两个部分，然后利用接合金属层将氮化镓单晶基板与辅助基板连接在一起，最后通过加热使离子植入层形成断裂，使氮化镓单晶基板与辅助基板分离。同时，氮化镓单晶基板将在辅助基板的表面留下一层氮化镓薄膜，从而形成氮化镓基板。利用从氮化镓单晶基板中分离出来的氮化镓薄膜来生长氮化物系半导体材料，其生产成本较低并且所生长的半导体材料晶格缺陷较少。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基板 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基板的制作方法，其包括以下步骤：在一个氮化镓单晶基板中形成一层离子植入层，所述离子植入层将氮化镓单晶基板分成第一部分和第二部分；利用接合金属层将氮化镓单晶基板与一个辅助基板连接在一起；加热使离子植入层断裂，使氮化镓单晶基板的第二部分与辅助基板分离，并在辅助基板的表面留下氮化镓单晶基板的第一部分，从而形成氮化镓基板。
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